制造商          STMicroelectronics

制造商零件编号       STD3NK80Z-1

描述   MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 2.5A（Tc） 70W（Tc） I-PAK

数据列表       STx3NK80Z(-1);

标准包装      75

包装   管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   SuperMESH™

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   800V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        2.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   4.5 欧姆 @ 1.25A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        4.5V @ 50μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       19nC @ 10V

Vgs（值）        ±30V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       485pF @ 25V

FET 功能      -

功率耗散（值） 70W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       I-PAK

封装/外壳     TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA