制造商          Infineon Technologies

制造商零件编号       IRF5210PBF

描述   MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

原厂标准交货期       26 周

详细描述       通孔 P 沟道 pval(2068) 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

一般信息

数据列表       IRF5210PbF;

标准包装      1,000

包装   管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   HEXFET®

规格

FET 类型      P 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   100V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        40A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   60 毫欧 @ 24A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       180nC @ 10V

Vgs（值）        ±20V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       2700pF @ 25V

FET 功能      -

功率耗散（值） 200W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3

文档

产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)

仿真模型       IRF5210PBF Saber Model

IRF5210PBF Spice

Model

其它有关文件 Part Number Guide

PCN 封装     Barcode Label Update 24/Feb/2017

Mult Device

Standard Label Chg 29/Sep/2017

Package Drawing

Update 19/Aug/2015

Packing Material

Update 16/Sep/2016

PCN 设计/规格       LeadFrame BOM Chg

20/May/2016

图像和媒体

产品相片       TO-220AB PKG

产品培训模块 High Voltage Integrated

Circuits (HVIC Gate Drivers)

特色产品       Data Processing Systems