STMicroelectronics 是一家独立的化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的。 凭借在硅晶和系统知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用。

制造商          STMicroelectronics

制造商零件编号       STP6NK60ZFP

描述   MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP

一般信息

数据列表       STx6NK60Z(FP-1);

标准包装      50

包装   管件  

零件状态       不適用於新設計

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   SuperMESH™

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   600V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        6A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   1.2 欧姆 @ 3A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        4.5V @ 100μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       46nC @ 10V

Vgs（值）        ±30V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       905pF @ 25V

FET 功能      -

功率耗散（值） 30W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220FP

封装/外壳     TO-220-3 整包

文档

产品目录页面 1542 (CN2011-ZH PDF)

1543 (CN2011-ZH

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Specifications

图像和媒体

产品相片       TO-220FP