STMicroelectronics 是一家独立的化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的。 凭借在硅晶和系统知识、强大的制造能力、知识产权 (IP)组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用。

制造商          STMicroelectronics

制造商零件编号       STD10P6F6

描述   MOSFET P CH 60V 10A DPAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

详细描述       表面贴装 P 沟道 pval(2068) 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK

一般信息

数据列表       STx10P6F6;

标准包装      2,500

包装   标准卷带  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   DeepGATE™，STripFET™ VI

规格

FET 类型      P 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   60V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        10A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   160 毫欧 @ 5A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       6.4nC @ 10V

Vgs（值）        ±20V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       340pF @ 48V

FET 功能      -

功率耗散（值） 35W（Tc）

工作温度       175°C（TJ）

安装类型       表面贴装

供应商器件封装       DPAK

封装/外壳     TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

文档

其它有关文件 STD10P6F6 View All

Specifications

图像和媒体

产品相片       DPAK (TO252-3)

产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs