制造商                                                 Texas Instruments

商品名称                                             CSD19531Q5AT
 
类别                                                   晶体管 - FET，MOSFET - 单
 
FET 类型                                             N-Channel
 
漏源电压Vdss                                      100V  

漏极电流Id                                           100000mA（TA）
 
驱动电压                                             6V，10V  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）   0.0064Ω@16000mA，10V  

Vgs                                                     20V，-20V  

功率耗散（大值）                                3.3W（TA），125W（TC）  

工作温度                                             -55°C~150°C(TJ)  

封装/外壳                                            PowerTDFN-8

德州仪器 (TI) 设计和制造模拟、数字信号处理和 DLP® 芯片技术,帮助客户开发相关产品。