商品名称：  MMBT2907ALT1G  
类别：   晶体管 - 双极 (BJT) - 单  
晶体管类型： PNP  
电流 - 集电极（Ic）（大值）： 600mA  
电压 - 集射极击穿（大值）： 60V  
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（大值）：  1.6V@50mA，500mA  
电流 - 集电极截止（大值）：  0.00001mA（ICBO）  
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（小值）： 100@150mA，10V  
工作温度： -55°C~150°C(TJ)  
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

ON Semiconductor（NASDAQ 代码： ON）推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。公司提供类型全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。ON Semiconductor 拥有地球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序，在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。