类别：   分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：   Vishay Siliconix

包装：   管件

FET 类型：   N 通道

技术：   MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：   20A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：   10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：   270 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：   4V @ 250μA

Vgs（大值）：   ±20V

功率耗散（大值）：   280W（Tc）

工作温度：   -55°C ~ 150°C（TJ）

供应商器件封装：   TO-247-3

封装/外壳：   TO-247-3

漏源电压（Vdss）：   500 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：   210 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：   4200 pF @ 25 V

Vishay威世公司是美国和欧洲地区大的无源器件制造商,也是有名的分立半导体器件和IC制造商。公司成立于1962年,总部设在美国宾夕法尼亚州,目前在地球14个国家拥有69个制造工厂,共有员工约20,000人,销售网络遍布地球。

Vishay公司的无源器件包括电阻、无源传感器、电容、电感,半导体器件则包括二极管和各类晶体管、光电子产品、功率IC和模拟开关IC,产品被美国、欧洲和亚洲的许多制造商所采用,被广泛应用于计算机、电话、电视、汽车、家用器具、医疗仪器、卫星、军事/航空设备。