类别：   分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：   NXP USA Inc.

FET 类型：   N 通道

技术：   MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：   3.5A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：   10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：   80 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：   4V @ 1mA

Vgs（大值）：   ±16V

功率耗散（大值）：   1.8W（Ta）

工作温度：   -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：   表面贴装型

供应商器件封装：   SOT-223

封装/外壳：   TO-261-4，TO-261AA

漏源电压（Vdss）：   55 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：   500 pF @ 25 V